必须了解的薄膜电阻技术的3大进步

自从八【bā】十多年【nián】前首次提供金属化玻璃和破裂【liè】的碳【tàn】膜以来，薄膜电阻器技术已经走了很【hěn】长【zhǎng】一段路，作为替代线绕和复【fù】合材料的替【tì】代方法。金属氧化【huà】物是在【zài】1950年代出现的【de】，它是一种更稳定的膜，并被广泛应用【yòng】，直到将其研磨成用于精密【mì】的金属【shǔ】膜（金属膜电阻）和【hé】用【yòng】于高【gāo】功率【lǜ】用【yòng】途的厚【hòu】膜（大功【gōng】率贴【tiē】片电阻）为止。然后，这【zhè】两种技【jì】术【shù】都以新兴的SMD芯片格式采用。这【zhè】一【yī】点在三十【shí】多【duō】年前【qián】就【jiù】已实现，并【bìng】在当今的薄膜【mó】电阻器产品中得到了很大的【de】体现。但是，认为薄膜【mó】电【diàn】阻器【qì】的没有任何变化是错误【wù】的。

本文【wén】确定了【le】持【chí】续发展【zhǎn】的三个驱动因素【sù】，并【bìng】概述了正在做【zuò】出的一些【xiē】响【xiǎng】应。首【shǒu】要的驱【qū】动因素是减少环境影响【xiǎng】，当务之【zhī】急【jí】是通【tōng】过立【lì】法法规和间接的消费者【zhě】压【yā】力。此【cǐ】后，安全【quán】操作区域的持续扩展【zhǎn】，推回了限制模拟电路小型化的【de】电气额定值极*。后，通过为太空和军事应用开发的【de】技术过渡，可以满足在工【gōng】业和工业应用中对更高水平【píng】的稳定性和【hé】可【kě】靠性的不断增长的【de】需求。

确定【dìng】了对环境驱动因素的两个响【xiǎng】应。首先【xiān】是减少了小型化所反映【yìng】的整体【tǐ】材【cái】料使用量，其次【cì】是消除了有害物质【zhì】。在厚膜电阻【zǔ】器领域，这可以从用于【yú】配制膜材料的玻璃中【zhōng】去【qù】除氧【yǎng】化铅中【zhōng】看出【chū】。考虑在何【hé】种程度上减【jiǎn】少【shǎo】了对相关RoHS豁免的持续更【gèng】新的依赖。

对于第二个驱【qū】动器，复查了定【dìng】义电阻【zǔ】器安全工作区域的三个【gè】电气额定【dìng】值。连续额定功【gōng】率，限制【zhì】元件电压和脉冲能【néng】量【liàng】限制。每个【gè】都【dōu】已定义，并通过【guò】实【shí】际示例介绍了中度和极端过【guò】载的结果和故障机【jī】理【lǐ】。讨【tǎo】论了【le】这三个额定值【zhí】对电阻元件的材料，尺寸和【hé】几何形状的依赖性，并参考了将设计【jì】转换为SMD格式【shì】并*小【xiǎo】化占位面【miàn】积的持【chí】续趋势。然后给出了相对于这些额定【dìng】值的商用厚膜贴片【piàn】电阻器的当【dāng】前状态【tài】，并讨论了多组件解决【jué】方【fāng】案及其隐性【xìng】成【chéng】本。然【rán】后介绍现有技【jì】术和新技术，从而可以扩【kuò】展三个等【děng】级【jí】。

与【yǔ】稳定性和【hé】可靠性有关的【de】终驱动【dòng】力正在促使【shǐ】氮化钽技术从【cóng】其【qí】高可靠性起【qǐ】源发展成为精密【mì】电【diàn】阻器应用的主流。将【jiāng】检查与替代【dài】材料有关的差【chà】异以【yǐ】及高度【dù】加速的寿命测试所表明的性能优势。

尽管与半【bàn】导体甚至其他无源元件相比，变化的速度似乎很慢【màn】，但薄膜电阻【zǔ】器技术的发展在【zài】21世纪仍【réng】在【zài】继续【xù】。